Smart formation of poly/mono-crystalline Si junctions using local doping techniques - POLO

Ein vielversprechender, in der Mikroelektronik bereits etablierter Ansatz zur Minimierung der Kontaktrekombination ist die Nutzung von Übergängen aus Nanometer-dünnem Siliziumdioxid das mit einer Schicht aus Polysilizium (poly-Si) gedeckelt ist. Diese Übergänge haben gleichzeitig sehr niedrige spezifische Kontaktwiderstände, so dass auch Widerstandsverluste minimiert werden. Die Herausforderung bei der Übertragung der poly-Si/c-Si-Technologie auf die Photovoltaik ist die Integration in einen schlanken Prozessfluss. Da das poly-Si auf Zellvorder- und Rückseite unterschiedlich (p- bzw. n-Typ) dotiert werden muss, ist eine Methode zur einseitigen Beschichtung mit in situ dotiertem poly-Si bzw. zur einseitigen Dotierung von intrinsischen poly-Si Schichten notwendig. Die Evaluation von drei vielversprechenden Ansätzen hierfür ist Kern des POLO-Projektes, das gemeinsam mit dem ISFH und der centrotherm photovoltaics AG, sowie der Roth und Rau AG als assoziiertem Partner durchgeführt wird. Dabei sollen Wirkungsgrade >23% auf industrietypischen Solarzellen erreicht werden.