Cost-efficient High-throughput Ion-Implantation for Photovoltaics - CHIP

Im Rahmen des Verbundprojekts CHIP soll die Technologie der Ionen-Implantation und deren Anwendbarkeit für die Herstellung von kristallinen Siliziumsolarzellen untersucht werden. Hierzu werden zusammen mit dem Projektpartner ISFH hocheffiziente PERT-Solarzellen (Passivated Emitter and Rear Totally Doped) auf monokristallinen n-Typ Wafern hergestellt, bei denen mittels Ionen-Implantation die Vorderseite lokal selektiv p-hochdotiert und die Rückseite selektiv n-hochdotiert ist. Als Dotierstoffe werden dabei Phosphor und Arsen für die n-Hochdotierung und Bor für die p-Hochdotierung in unterschiedlichen Zusammensetzungen untersucht. Der für die Ausheilung der durch die Ionen-Implantation hervorgerufenen Schädigungen notwendige Temperaturschritt ist ein damit eng verbundenes Untersuchungsziel des Projekts. Hier soll ein Prozess gefunden werden, welcher beide Dotiertypen gleichzeitig ausheilen kann. Dazu werden verschiedene Temperaturprozesse miteinander verglichen, welche sich hauptsächlich in Dauer und Temperaturverlauf unterschieden.